IGBT транзисторы
IGBT транзисторы это мощные полупроводниковые устройства, которые объединяют в себе преимущества биполярного транзистора и полевого транзистора. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) состоит из трех слоев полупроводникового материала: N-типа, P-типа и N-типа. Он имеет управляющий электрод (gate), который контролирует ток между эмиттером и коллектором. IGBT транзисторы обладают высокой мощностью, низкими потерями и высокой скоростью коммутации, что делает их идеальными для использования в силовых электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, электромагнитные пускатели и т.д.