Если вы продолжите пользоваться Веб-сайтом, не изменив настройки, то вы тем самым выражаете согласие на использование файлов cookie на Веб-сайте в соответствии с политикой использования файлов cookie, размещенной на сайте.

SI2300DS-T1-GE3-VB

SI2300DS-T1-GE3-VB

3.46 - 16.08 р.

Ожидаемое время поставки на склад:
по запросу

* В связи с текущей экономической ситуацией, поставка позиций некоторых брендов США невозможна. Информацию о возможности поставки уточняйте у менеджера.

Номенклатурный номер:
3786049729

Производитель:
VBSEMI

Дата обновления:
12.10.2025

Описание

Купить Транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SI2300DS-T1-GE3-VB оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.

SI2300DS-T1-GE3-VB, Транзистор TrenchFET N-MOSFET 20В 5.6A [SOT-23-3]
20V 6A 28m-@4.5V,5A 2.1W 1V@250uA 55pF@10V N Channel 865pF@10V 8.8nC@4.5V -55-~+150-@(Tj) SOT-23-3 MOSFETs

Результаты поиска по позиции

Склад Производитель Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб. Обновлен Мин. партия Кол-во
1 VBSEMI 2-5 5782 3,463.46 Сегодня 1
В корзине
2421 VBsemi по запросу 999999999по запросу 999999999по запросу 21.08.2025 1
104 VBsemi 3-5 9999999991000 999999999по запросу Сегодня 1
106 VBSEMI 25-30 20000 3,853.85 Сегодня 100
В корзине
108 VBSEMI по запросу 999999999по запросу 99999999916,0816.08 Сегодня 1
Распродажа в товары