Если вы продолжите пользоваться Веб-сайтом, не изменив настройки, то вы тем самым выражаете согласие на использование файлов cookie на Веб-сайте в соответствии с политикой использования файлов cookie, размещенной на сайте.

BSM75GB120DN2

BSM75GB120DN2

4 755.30 - 13 370.79 р.

Ожидаемое время поставки на склад:
по запросу

* В связи с текущей экономической ситуацией, поставка позиций некоторых брендов США невозможна. Информацию о возможности поставки уточняйте у менеджера.

Номенклатурный номер:
1164513230

Производитель:
INF

Дата обновления:
14.10.2026

Описание

Купить Силовые модули IGBT BSM75GB120DN2 оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.

Биполярный транзистор IGBT, 625Вт
BSM75GB120DN2, IGBT модуль 105А 1200В, полумост [HALF-BRIDGE 1]
Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 600В

Результаты поиска по позиции

Склад Производитель Отгрузка, дней Наличие, шт. Цена, руб. Обновлен Мин. партия Кол-во
2 INF 3-5 8 13370,7913 370.79 Сегодня 1
В корзине
104 Greegoo 3-5 5 4755,34 755.30 13.10.2026 1
В корзине
108 INFINEON по запросу 999999999по запросу 999999999по запросу 13.10.2026 1
Распродажа в товары