Samsung ориентируется на разработку и производство полупроводников

Это интересные новости о действиях компании Samsung Electronics в области производства силовых полупроводников SiC (карбид кремния) и GaN (азотида галлия), а также их стратегическом сдвиге.

Назначение Стивена Хонга, эксперта в области силовых полупроводников, ведет усиление усилий компании Samsung в этой области. Его опыт и руководство будут играть ключевую роль в разработке стратегии бизнеса по производству силовых полупроводников.

Samsung Electronics внимательно готовится к производству силовых полупроводников на базе SiC и GaN, вложив значительные средства в оборудование. Эти инвестиции важны для поддержки будущего массового производства.

Рынок силовых устройств на основе карбида кремния ожидает рост с заметным темпом, и компания Samsung стремится занять значительную долю на этом растущем рынке.

Отказ от обычного 6-дюймового подхода и переход к производству 8-дюймовых пластин SiC и GaN свидетельствует о стратегическом сдвиге компании. Это может помочь улучшить использование производственных мощностей и диверсифицировать продуктовый портфель.

Компания Samsung будет соперничать с другими компаниями, такими как DB Hitek и Key Foundry, в запуске услуг по производству 8-дюймовых GaN. Это соревнование может способствовать инновациям и разнообразию продуктов на рынке.

Эти шаги и инвестиции подчеркивают стремление Samsung Electronics к укреплению своей позиции в области производства силовых полупроводников и удовлетворению растущего спроса на технологии SiC и GaN.

С уважением, ООО «Компания База Электроники» 

Вернуться на главную