N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V от YANGJIE Technology

Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Split Gate Trench) и представляют собой Trench MOSFET с экранированным затвором.

В них улучшены такие характеристики, как:

• напряжение пробоя "сток-исток" V(BR)DSS;
• сопротивление открытого канала RDS(on);
• общий заряд затвора Qg;
• защита от скачка тока при включении.

С Уважением, ООО "Компания "База Электроники"

Вернуться на главную