Разработаны ультратонкие резисторы памяти для нейроморфных вычислений

Совместный проект Канзасского и Хьюстонского университетов, поддержанный грантом Национального научного фонда США в размере 1,8 миллиона долларов в рамках программы «Будущее полупроводников» (FuSe2), нацелен на разработку настраиваемых на атомном уровне мемристоров — ключевых компонентов для передовых вычислительных технологий.

Программа была запущена в 2023 году с целью решения критических проблем в области полупроводниковых исследований и разработок. Среди партнёров проекта — крупнейшие игроки отрасли, такие как Micron, Intel и Samsung.

Основная цель команды, возглавляемой Джуди Ву, почётным профессором физики и астрономии Канзасского университета, а также её коллегами Хартвином Пиларсом и Франсиско Роблесом, — создание мемристоров для «нейроморфных вычислений». Эти устройства могут выполнять функции нейронов и синапсов в искусственных нейросетях, имитируя работу человеческого мозга.

Важным достижением исследователей стало создание мемристора толщиной менее 2 нанометров. 

Главная цель работы команды — создание «настраиваемых» мемристоров, которые смогут эффективно имитировать процессы, происходящие в мозге, включая принятие решений, распознавание закономерностей и вычисления, при этом обеспечивая высокую скорость работы и энергоэффективность.

С уважением, ООО "Компания "База Электроники"

 

Вернуться на главную