Новые полупроводниковые материалы для электроники от ученых Сколтеха

мощные СВЧ GaN транзисторы

Сотрудничество исследователей из Сколтеха, Института неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН и Института проблем химической физики РАН позволило создать перспективные бессвинцовые полупроводниковые материалы для использования в солнечных батареях на основе комплексных галогенидов сурьмы и висмута.

Ранее эта же команда ученых предложила увеличить размерность анионных решеток в комплексах Sb и Bi путем введения специальных линкерных молекул, например, молекулярного йода. Этот путь был опубликован в журнале Chemistry: A European Journal. Использование этого подхода позволило ученым создать новые полупроводниковые материалы на основе комплексных галогенидов  висмута и сурьмы с йодом, которые активно изучаются сейчас во всем мире.  

Этим же коллективом ученых был разработан принципиально новый материал для солнечных батарей на основе перовскитоподобного комплексного бромида сурьмы ASbBr6 (где А является органическим положительно заряженным ионом). Солнечные батареи на основе ASbBr6 показали рекордные для галогенидов сурьмы и висмута к.п.д. преобразования света. 

 

2019-05-17

© Elbase.ru 2007-2020 Работает на ispserver.ru
x

БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ

колесо фортуны

Испытай свою удачу

Крути колесо и получи приятный бонус!

Нажимая кнопку, я соглашаюсь с Пользовательским соглашением