Компания STMicroelectronics представила новые 1200В MOSFET транзисторы STP6N120K3 производимые по технологии SuperMesh3.

Примечательная особенность транзисторов технологии SuperMesh3 (окончание …K3) – это хорошие параметры при высокой надежности по привлекательным ценам. Также, транзистор имеет встроенный ограничительный диод для защиты затвора.

Основные характеристики STP6N120K3:

• Рабочее напряжения 1200В
• Сопративления открытого канала 1.95 Ом (тип.)
• Рабочий ток 6А
• Заряд затвора 34нК
• Встроенная защита затвора
• Корпус TO-220, доступны TO-247 (STW6N120K), TO-3PF (STFW6N120K3).

Транзисторы STP6N120K3 доступны к заказу, который Вы сможете отправить по e-mail или по факсу, указанные в разделе "Контакты".