Компания STMicroelectronics представила новые 1200В MOSFET транзисторы STP6N120K3 производимые по технологии SuperMesh3.
Примечательная особенность транзисторов технологии SuperMesh3 (окончание …K3) – это хорошие параметры при высокой надежности по привлекательным ценам. Также, транзистор имеет встроенный ограничительный диод для защиты затвора.
Основные характеристики STP6N120K3:
- Рабочее напряжения 1200В
- Сопративления открытого канала 1.95 Ом (тип.)
- Рабочий ток 6А
- Заряд затвора 34нК
- Встроенная защита затвора
- Корпус TO-220, доступны TO-247 (STW6N120K), TO-3PF (STFW6N120K3).
Транзисторы STP6N120K3 доступны к заказу, который Вы сможете отправить по e-mail или по факсу, указанные в разделе "Контакты". 2011-06-17
|