Vishay Intertechnology, Inc. представляет новые 600 В MOSFETs, которые расширяют линейку, выполненную по технологии Super Junction FET™ в корпусе TO-220, TO-220F, TO-247, и TO-263.

Новые полевые транзисторы SiHP22N60S (TO-220), SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK), SiHG22N60S (TO-247), и SiHB22N60S (TO-263) обладают ультранизким сопротивлением открытого канала (RDS(ON)) 0,190 Ом при 10 В. Такой низкий RDS(ON)ведет к значительному снижению потерь на проводимость в системах хранения энергии, корректорах коэффициента мощности (PFC) и системах ШИМ (PWM), включая LCD телевизоры, персональные компьютеры, серверы, импульсные источники питания (SMPS), и телекоммуникационные системы. В дополнение к низкому сопротивлению открытого канала приборы имеют низкий заряд затвора (Qg) 98 нC. Транзисторы соответствуют директиве RoHS 2002/95/EC.

2010-04-01
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов

Если вы продолжите пользоваться Веб-сайтом, не изменив настройки , то вы тем самым выражаете согласие на использование файлов cookie на Веб-сайте в соответствии с политикой использования файлов cookie, размещенной на сайте.