SiA433EDJ - это новейший продукт, построенный на передовой технологииTrenchFET ® P Gen III, которая позволяет сократить сопротивление открытого канала p-канального MOSFET почти в два раза. 

SiA433EDJ обладает сверхнизким сопротивлением 18 мОм при 4,5 В, 26 мОм при 2,5 В и 65 мОм при 1,8 В. Эти значения на 30-40% ниже чем у ближайших конкурентов.

SiA433EDJ будет использоваться в качестве нагрузки аккумулятора зарядного устройства и выключателей в портативных устройствах, таких как сотовые телефоны, смартфоны, КПК и MP3-плееры. Низкое сопротивлением в MosFETs приводит к снижению потерь проводимости, экономя энергию и продлевая жизнь батареи между зарядками в этих устройствах. Транзистор имеет встроенный стабилитрон для защиты от статического электричества до 1800 В. 

Прибор является безгалогенным в соответствии с МЭК 61249-2-21, совместим с директивой RoHS 2002/95/EC.