S186P – это высокоскоростные и высокочувствительные PIN фотодиоды в плоском пластиковом корпусе. Эпоксидное покрытие корпуса выполняет функцию ИК фильтра. Фотодиоды предназначены для работы с ИК излучателями GaAs или GaAs на GaAlAs с доминантной длиной волны более 900 нм. Конструкция плоского корпуса компонента объясняет два преимущества S186P фотодиодов: широкую рабочую область и высокую чувствительность при широком угле обзора. Особенности: Малое время отклика Малая емкость перехода Высокая излучательная чувствительность Широкая рабочая зона чувствительности (7.5 кв.мм) Широкий угол обзора (± 65°) Пластиковый корпус с ИК фильтром (950 мм) Бессвинцовое исполнение Рабочие характеристики: Напряжение пробоя: 60 В Обратный темновой ток (10 В): 2 нА Емкость диода (0 В): 70 пФ Рассеиваемая мощность: 215 мВт Длина волны максимальной чувствительности: 950 нм Напряжение открытой цепи: 350 мВ Ток закороченной цепи: 38 мкА Время нарастания и спада импульса: 100 нс Габаритные размеры: 5х6.4х3 мм