S186P – это высокоскоростные и высокочувствительные PIN фотодиоды в плоском пластиковом корпусе. Эпоксидное покрытие корпуса выполняет функцию ИК фильтра. Фотодиоды предназначены для работы с ИК излучателями GaAs или GaAs на GaAlAs с доминантной длиной волны более 900 нм. Конструкция плоского корпуса компонента объясняет два преимущества S186P фотодиодов: широкую рабочую область и высокую чувствительность при широком угле обзора.
Особенности:
Малое время отклика
Малая емкость перехода
Высокая излучательная чувствительность
Широкая рабочая зона чувствительности (7.5 кв.мм)
Широкий угол обзора (± 65°)
Пластиковый корпус с ИК фильтром (950 мм)
Бессвинцовое исполнение
Рабочие характеристики:
Напряжение пробоя: 60 В
Обратный темновой ток (10 В): 2 нА
Емкость диода (0 В): 70 пФ
Рассеиваемая мощность: 215 мВт
Длина волны максимальной чувствительности: 950 нм
Напряжение открытой цепи: 350 мВ
Ток закороченной цепи: 38 мкА
Время нарастания и спада импульса: 100 нс
Габаритные размеры: 5х6.4х3 мм 2009-10-02
|