Чтобы упростить конструирование высокоэффективных преобразователей энергии мощностью до 200 Вт, STMicroelectronics (ST) выпустила силовые модули MasterGaN4, объединив в них два симметричных 650-вольтовых мощных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора с сопротивлениями открытых каналов 225 мОм, а также оптимизированные драйверы затворов и схемы защиты.

Последнее дополнение к семейству MasterGaN компании ST упрощает проектирование с использованием широкозонных мощных GaN полупроводниковых приборов, устраняя сложные проблемы управления затвором и трассировки печатных плат. Благодаря широкому диапазону входных напряжений от 3.3 В до 15 В, MasterGaN4 можно подключать непосредственно к датчикам Холла или к КМОП устройствам, таким как микроконтроллеры, ЦСП или ПЛИС.

2021-04-19
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов