Взяв за основу технологию платформы MasterGaN, STMicroelectronics (ST) создала высоковольтный полумостовой драйвер, ставший первым устройством в новом семействе MasterGaN2, содержащим два асимметричных нитрид-галлиевых (GaN) транзистора и обеспечивающим интегрированное решение для топологий преобразователей с мягким переключением и активным выпрямлением.

Нормально закрытые 650-вольтовые GaN транзисторы имеют сопротивления открытых каналов 150 мОм и 225 мОм. Каждый из них объединен с оптимизированным драйвером затвора, что делает GaN приборы такими же простыми в использовании, как и обычные кремниевые устройства. Сочетая расширенную интеграцию с присущими GaN преимуществами в характеристиках, MasterGaN2 еще больше расширяет возможности повышения КПД, уменьшения размеров и снижения веса обратноходовых преобразователей с активным ограничением.

Системы в корпусе семейства MasterGaN содержат два GaN транзистора с высокой подвижностью электронов (HEMT). Транзисторы и связанные с ними высоковольтные драйверы затворов размещаются в одном корпусе со всеми необходимыми встроенными механизмами защиты. Разработчик может легко подключить внешние устройства, включая датчики Холла и контроллер, такой как сигнальный процессор, ПЛИС или микроконтроллер, непосредственно к устройству MasterGaN. Входы прибора совместимы с логическими сигналами от 3.3 В до 15 В, что упрощает конструкцию схемы, сокращает количество необходимых компонентов, уменьшает требуемую площадь платы и облегчает монтаж. Такой уровень интеграции помогает повысить плотность мощности адаптеров и устройств быстрой зарядки.

Технология GaN поддерживает эволюцию адаптеров USB-PD и зарядных устройств для смартфонов. Выпускаемые ST устройства MasterGaN позволяют сделать их на 80% меньше и на 70% легче, увеличив при этом скорость зарядки в три раза по сравнению с обычными решениями на основе кремния.

2021-02-09
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов