Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенный для повышения удельной мощности и КПД автомобильных приложений. Выпущенный подразделением Vishay Siliconix транзистор SQJ211ELP является не только первым в отрасли прибором такого класса в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки», но и лучшим в своей группе MOSFET с сопротивлением открытого канала 30 мОм при напряжении затвора 10 В.

По сравнению с ближайшими конкурирующими устройствами в корпусах DPAK и D2PAK, новый MOSFET для автомобильной промышленности обеспечивает снижение сопротивления в открытом состоянии на 26% и 46%, соответственно, при площади корпуса меньшей на 50% и 76%. Низкое сопротивление открытого SQJ211ELP позволяет экономить энергию за счет снижения потерь проводимости, а его превосходный заряд затвора 45 нКл при 10 В снижает потери в драйвере затвора. Номинальное напряжение –100 В обеспечивает запас прочности, необходимый для поддержки нескольких популярных шин входного напряжения, включая системы с напряжениями 12, 24 и 48 В.

2021-01-15
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов