Vishay Intertechnology дополнила новым устройством семейство 600-вольтовых MOSFET четвертого поколения серии EF с быстродействующим паразитным диодом. N-канальный транзистор SiHH070N60EF, выпущенный подразделением Vishay Siliconix, имеет сопротивление открытого канала на 29% меньшее, чем у устройств предыдущего поколения, и при этом его заряд затвора снижен на 60%, что обеспечит высокий КПД источников питания для телекоммуникационных, промышленных, вычислительных и корпоративных приложений. Это позволило достичь самого низкого в отрасли значения произведения сопротивления открытого канала на заряд затвора среди устройств аналогичного класса – ключевого показателя качества для MOSFET, используемых в приложениях преобразования энергии.

Vishay располагает широким спектром технологий MOSFET, поддерживающих все уровни преобразования энергии, – от высоковольтных входов до низковольтных выходов, – необходимые для питания новейшего высокотехнологичного оборудования. С выпуском нового транзистора SiHH070N60EF и других ожидаемых в ближайшее время 600-вольтовых приборов серии EF четвертого поколения компания решает проблему повышения КПД и удельной мощности двух важнейших каскадов системы питания – безмостовых двухтактных корректоров коэффициента мощности и DC/DC преобразователей с мягкой коммутацией транзисторов.

SiHH070N60EF, созданный на основе разработанной Vishay новейшей энергоэффективной технологии суперперехода, отличается низким сопротивлением открытом канала с типовым значением 0.061 Ом при напряжении затвора 10 В и сверхнизким зарядом затвора 50 нКл. Произведение сопротивления открытого канала на заряд затвора для этого устройства равно 3.1 Ом·нКл, что на 30% меньше, чем у конкурирующих MOSFET такого же класса. Снижая потери проводимости и переключения, эти значения способствуют экономии энергии.

С уважением, Компания База Электроники.

2020-12-09
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов