
Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).
Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.
Особенности:
Низкие потери на переключение;
Простота использования – управление напряжением 0…18 В;
Наличие внутреннего диода (body diode) с низким зарядом обратного восстановления (Qrr);
Слабая зависимость Rds(on) от температуры по сравнению с обычными MOSFET (см. таблицу ниже); Возможность работы со стандартными драйверами;
Возможность работы в топологиях с жесткой коммутацией.
Области применения:
Серверное оборудование;
Источники бесперебойного питания (ИБП);
Телекоммуникационное оборудование;
Солнечные инверторы;
Зарядные устройства;
Промышленные импульсные источники питания (SMPS);
Системы хранения энергии.
С уважением, ООО "Компания "База Электроники" 2020-08-31
|