Компания Infineon представила новые высоковольтные MOSFET 650 В серии CoolSiC, выполненные по технологии Trench. Используя 20-летний опыт разработки силовых полупроводниковых приборов, Infineon выпустила транзисторы на основе карбида кремния (SiC).

Для разработчиков новые транзисторы – это уникальная комбинация производительности, надежности и эффективности, а также малая зависимость сопротивления открытого канала Rds(on) от температуры по сравнению с обычными кремниевыми MOSFET.

Особенности:

Низкие потери на переключение;

Простота использования – управление напряжением 0…18 В;

Наличие внутреннего диода (body diode) с низким зарядом обратного восстановления (Qrr);

Слабая зависимость Rds(on) от температуры по сравнению с обычными MOSFET (см. таблицу ниже); Возможность работы со стандартными драйверами;

Возможность работы в топологиях с жесткой коммутацией.  

Области применения:

Серверное оборудование;

Источники бесперебойного питания (ИБП);

Телекоммуникационное оборудование;

Солнечные инверторы;

Зарядные устройства;

Промышленные импульсные источники питания (SMPS);

Системы хранения энергии.

С уважением, ООО "Компания "База Электроники"