Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4

Новые MOSFET-транзисторы от компании Infineon линейки CoolSiC 1200 В в корпусе TO247-3/-4 основаны на современных технологиях построения полупроводников и оптимизированы для обеспечения высоких показателей производительности и надежности.

Преимущество использования SiC-транзисторов по сравнению с Si-решениями – это более высокий КПД, что особенно важно для систем преобразования энергии. По сравнению с IGBT и MOSFET на основе Si, SiC MOSFET имеют ряд преимуществ: самые низкие уровни заряда затвора и емкости среди 1200 В переключателей, отсутствие потерь на восстановление внутреннего диода, низкие потери при переключении, не зависящие от температуры, и беспороговая характеристика.

Применение:

Системы преобразования солнечной энергии;

Системы зарядки электромобилей;

Источники бесперебойного питания (ИБП);

Блоки питания; Управление двигателем.

 

Всегда поможем с выбором ООО "Компания "База Электроники".

2020-04-20

© Elbase.ru 2007-2020 Работает на ispserver.ru
x

БАЗА ЭЛЕКТРОНИКИ

колесо фортуны

Испытай свою удачу

Крути колесо и получи приятный бонус!

Нажимая кнопку, я соглашаюсь с Пользовательским соглашением