Международная группа ученых НИТУ «МИСиС» и Национального института квантовых наук и радиологии (Япония) разработали материал, который позволит существенно увеличить плотность записываемой информации в устройствах хранения данных (твердотельные диски и флеш-накопители).

К преимуществам нового материала также стоит отнести отсутствие лимита перезаписи.

Ученые использовали комбинацию из графена и полуметаллического сплава Гейслера Co2FeGaGe (кобальт-железо-галлий-германий). Уникальность данной разработки заключается в том, что японским коллегам впервые удалось получить слой графена атомарной толщины на слое полуметаллического ферромагнитного материала и измерить его свойства.

Благодаря тщательному подбору состава сплава Гейслера, а также методов его нанесения, удалось создать более тонкий образец, по сравнению с предшествующими аналогами.

Это, в свою очередь, позволит существенно повысить емкость устройств магнитной памяти без увеличения их физических размеров.

Всегда поможем с выбором. Компания База Электроники.