Micron и IBM начинают совместный выпуск инновационной памяти под кодовым наименованием Hybrid Memory Cube.

Компании будут производить свои изделия на заводе IBM, в Ист-Фишкилл штата Нью-Йорк. Для их изготовления станет употребляться методика HKMG, базирующаяся на применении транзисторов с металлическими затворами и диэлектриков с высочайшей диэлектрической проницаемостью. Это уже известная 32-х нанометровая разработка.

В модулях памяти HMC станут использовать технологию Through-Silicon Via, главная сущность которой – создание переполненных медью небольших отверстий в кремниевых подложках. Данные каналы станут играть роль проводников и позволят сформировать многоярусные чипы. Итогом данного будет существенное увеличение плотности записи информации.

Всегда поможем с выбором. Компания "База Электроники".

 

2020-01-29
Top.Mail.Ru
Поиск электронных компонентов