Vishay Intertechnology представила новый p-канальный TrenchFET MOSFET, отвечающий требованиям стандарта AEC-Q101 и предназначенный для повышения удельной мощности и КПД автомобильных приложений. Выпущенный подразделением Vishay Siliconix транзистор SQJ211ELP является не только первым в отрасли прибором такого класса в компактном корпусе PowerPAK SO-8L размером 5 мм × 6 мм с выводами типа «крыло чайки», но и лучшим в своей группе MOSFET с сопротивлением открытого канала 30 мОм при напряжении затвора 10 В. Подробнее

Renesas Electronics представила первый в мире 60-ваттный приемник беспроводной энергии P9418, предназначенный для создания решений с самой высокой в отрасли удельной мощностью, позволяющих повысить скорость беспроводной зарядки смартфонов, ноутбуков и портативных устройств. Благодаря разработанной Renesas эксклюзивной технологии WattShare, высокоинтегрированный однокристальный приемник беспроводной энергии P9418 обеспечивает мощность до 60 Вт. Это позволяет быстро и удобно заряжать не только смартфоны, но и различные портативные вычислительные устройства. Подробнее

Alpha and Omega Semiconductor (AOS) объявила о выпуске новых 150-вольтовых MOSFET AOTL66518 и AOB66518L с низкими сопротивлениями открытых каналов и широкой областью безопасной работы (SOA), предназначенных для приложений горячей замены в ответственном телекоммуникационном оборудовании.

AOS разработала эти MOSFET с низким сопротивлениями каналов и надежными характеристиками линейного режима с широкой областью безопасной работы для поддержки ответственных телекоммуникационных приложений, где важны безупречные электрические характеристики, устойчивость к перегрузкам и качество. AOTL66518 и AOB66518L работают при температуре перехода до 175 °C и защищают нагрузку, ограничивая высокие пиковые токи в схемах плавного запуска, электронных предохранителях и при горячей замене. Подробнее