Новый материал для оптически управляемой магнитной памяти

Исследователи из Притцкеровской школы молекулярной инженерии Чикагского университета (PME) совершили важный прорыв в разработке новой оптической памяти, способной быстро и энергоэффективно хранить и обрабатывать данные.

В ходе изучения сложного материала на основе марганца, висмута и теллура (MnBi2Te4) они обнаружили, что его магнитные свойства можно быстро и легко изменять с помощью света. Это открытие позволяет использовать лазер для кодирования информации в магнитных состояниях этого материала.

В статье, опубликованной в журнале Science Advances, команда Янга продемонстрировала, как электроны в MnBi2Te4 конкурируют между двумя состояниями: топологическим, которое подходит для кодирования квантовой информации, и светочувствительным, идеальным для оптического хранения данных.

Ранее MnBi2Te4 изучался как перспективный магнитный топологический изолятор (MTI) — материал, который ведет себя как изолятор внутри, но проводит электричество на поверхности. Однако работа с этим материалом была затруднена, и ученые стремились понять, почему предсказанные топологические свойства проявлялись с трудом.

Для решения этой задачи исследователи применили передовые спектроскопические методы, позволяющие в реальном времени наблюдать за поведением электронов в MnBi2Te4. В результате они обнаружили, что квантовое состояние материала конкурирует с новым квазиодномерным электронным состоянием, что и объясняет сложности в реализации топологических свойств.

С уважением, ООО "Компания "База Электроники"

Вернуться на главную