Новая энергонезависимая память может хранить данные более 1000 лет

Quinas Technology, стартап, занимающийся внедрением технологии UltraRAM в массовое производство, получил финансирование в размере 1,1 миллиона фунтов стерлингов (1,43 миллиона долларов) от Innovate UK. Эти средства помогут ускорить переход технологии из лаборатории на фабрику.

UltraRAM, разработанная профессором физики Ланкастерского университета Манусом Хейном около четырех-пяти лет назад, является энергонезависимым типом памяти, сочетающим производительность, долговечность и энергоэффективность DRAM. Она сохраняет данные даже при отключении питания, имеет ресурс в 4000 раз больше, чем NAND, и может хранить данные более 1000 лет.

По данным Toms Hardware, UltraRAM использует квантово-резонансное туннелирование, обычно применяемое в фотонных устройствах, таких как светодиоды и лазерные диоды. В полупроводниковых устройствах UltraRAM состоит из слоев GaSb, InAs и AlSb, нанесенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (MBE). Основная цель проекта — увеличить размеры пластин UltraRAM с 75 мм до 150 мм, используя метод металлоорганического химического осаждения из паровой фазы (MOCVD) на предприятии IQE в Кардиффе.

IQE направит большую часть финансирования на внедрение составных полупроводниковых слоев, разработанных в Ланкастерском университете, в промышленный процесс. Университет проведет начальную эпитаксию MBE, чтобы установить ориентир для промышленного роста, а затем IQE будет производить эти полупроводники в большем масштабе. Ланкастерский университет оценит качество и характеристики материала.

Параллельно Ланкастерский университет будет работать над уменьшением размеров устройств UltraRAM и созданием массивов большего размера. Цель — продемонстрировать возможность изготовления UltraRAM на цельной 200-мм пластине, что станет доказательством концепции.

С уважением, ООО "Компания "База Электроники"

Вернуться на главную