Китайский производитель микросхем памяти CXMT сокращает разрыв с Samsung, Hynix и Micron

Ведущий китайский производитель памяти CXMT сокращает технологический разрыв с Samsung, Hynix и Micron. Новейшие DDR5 чипы компании используют 16-нм техпроцесс, что помогает преодолеть ограничения, которые пытались ввести США через санкции.

CXMT разработала потребительский чип, применив передовые технологии производства, что является важным шагом на фоне продолжающихся санкций США, согласно исследованию канадской компании TechInsights. Новый 16-гигабитный чип использует DDR5, который, как предполагается, будет доминировать на рынке DRAM до 2027 года.

Размер чипа составляет около 67 квадратных миллиметров, а плотность хранения — 0,239 ГБ на квадратный миллиметр. В новой технологии G4 DRAM от CXMT ячейки памяти стали на 20% меньше по сравнению с предыдущей G3.

Согласно отчету, компания значительно продвинулась вперед с тех пор, как в 2018 году выпустила процессор G1 с техпроцессом 23 нм, а в 2020 году — G2 с техпроцессом 18 нм. Это позволило CXMT существенно приблизиться к мировым лидерам из Южной Кореи и США.

С уважением, ООО "Компания "База Электроники"

Вернуться на главную