SIHG20N50C-E3
123.59 - 236.19 р.
Ожидаемое время поставки на склад:
35-45 дней
Описание
Купить Транзисторы и сборки MOSFET SIHG20N50C-E3 оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.
Тип: MOSFET Тип проводимости: N Максимальное напряжение сток-исток, В: 500 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 270 Емкость, пФ: 2942 Заряд затвора, нКл: 76 Описание: 500V, 20A N-Channel MOSFET Напряжение: пороговое затвора (Vgs th)- 5 В Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С Мощность: рассеиваемая - 250 Вт Вес брутто: 6.70 Транспортная упаковка: размер/кол-во: 58*46*46/500 Способ монтажа: Through Hole Корпус: TO-247-3 Упаковка: TUBE, 25 шт. MSL(Уровень чувствительности к влажности): 1
Транзистор SIHG20N50C-E3
Транзистор N-МОП, 560В, 11А, 250Вт, TO247AC
Результаты поиска по позиции
Склад | Производитель | Отгрузка, дней | Наличие, шт. | Цена, руб. | Обновлен | Мин. партия | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1 | VISHAY | 2-5 | 999999999по запросу | 999999999127,96127.96 | 27.03.2023 | 1 | ||
106 | VISHAY | 25-30 | 999999999по запросу | 999999999201,24201.24 | 01.02.2023 | 2500 | ||
15 | VISHAY | 4-5 | 259 | 123,59123.59 | 23.05.2024 | 1 | В корзине | |
2334 | 35-45 | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 10.04.2024 | 1 | |||
101 | VISHAY/IR | 10-14 | 8 | 236,19236.19 | 12.04.2024 | 1 | В корзине | |
50 | VISHAY | 2-5 | 999999999по запросу | 999999999183,55183.55 | 23.05.2024 | 1 | ||
96 | 25-30 | 2776 | 162,13162.13 | 23.05.2024 | 1 | В корзине | ||
108 | VISHAY | 7-30 | 14 | 214,4214.40 | 23.05.2024 | 1 | В корзине |