IRF5210STRLPBF
90.02 - 174.20 р.
Ожидаемое время поставки на склад:
35-45 дней
Описание
Купить ТРАНЗИСТОРЫ IRF5210STRLPBF оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.
Тип: MOSFET Тип проводимости: P Максимальное напряжение сток-исток, В: -100 Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: -38 Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 60 Емкость, пФ: 2780 Заряд затвора, нКл: 230 Описание: MOSFET MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC Напряжение: пороговое затвора (Vgs th) - 2В Диапазон рабочих температур: -55…+150 °С Максимально допустимое напряжение: затвор-исток (Vgs) ± 20 В Мощность: рассеиваемая (Pd) - 3,8 Вт Вес брутто: 2.30 Способ монтажа: поверхностный (SMT) Корпус: TO-263 (D2PAK) Упаковка: REEL, 800 шт.
IRF5210STRLPBF, D2Pak (TO-263)
MOSFET
Транзистор полевой P-канальный 100В 38A
Транзистор IRF5210STRLPBF
Транзистор P-МОП, полевой, -100В, -40А, 3,8Вт, D2PAK
Результаты поиска по позиции
Склад | Производитель | Отгрузка, дней | Наличие, шт. | Цена, руб. | Обновлен | Мин. партия | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
15 | Infineon Technologies | 4-5 | 999999999по запросу | 99999999990,0290.02 | Сегодня | 1 | ||
22 | Infineon | 4-7 | 30 | 160,08160.08 | 27.02.2024 | 150 | В корзине | |
2344 | Infineon | 35-45 | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 10.04.2024 | 1 | ||
2334 | 35-45 | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 10.04.2024 | 1 | |||
101 | INFI | 10-14 | 5 | 161,55161.55 | 12.04.2024 | 1 | В корзине | |
2 | INF | 3-5 | 12902 | 154,76154.76 | Сегодня | 1 | В корзине | |
50 | IR | 2-5 | 999999999по запросу | 999999999137,43137.43 | Сегодня | 1 | ||
91 | INFINEON | 2-5 | 999999999по запросу | 999999999по запросу | Сегодня | 9600 | ||
108 | INFINEON | 7-30 | 999999999по запросу | 999999999174,2174.20 | Сегодня | 1 |