Категории
![GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]](/themes/elbase_new/img/product-noimg.jpg)
GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN]
314.40р.
Ожидаемое время поставки на склад:
3-5 дней
Описание
Купить Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs) GT50JR22(STA1,E,S), Транзистор, IGBT Chip N-CH 600В 50А 230Вт [TO-3PN] оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.
GT50JR22(STA1,E,S)
Результаты поиска по позиции
| Склад | Производитель | Отгрузка, дней | Наличие, шт. | Цена, руб. | Обновлен | Мин. партия | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 104 | Toshiba | 3-5 | 3000 | 314,4314.40 | 08.11.2024 | 1 | В корзине |
