Категории
G3R30MT12J
6 673.83 - 7 932.80 р.
Ожидаемое время поставки на склад:
по запросу
Описание
Купить Транзисторы на основе карбида кремния (SiC) G3R30MT12J оптом и в розницу по лучшим ценам. Большой выбор качественных электронных компонентов от ведущих производителей в компании База Электроники. Быстрая доставка по всей России и странам СНГ.
Транзистор полевой MOSFET SIC N-канальый 1200В 96А, 459Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 68А; Idm: 200А; 459Вт
Результаты поиска по позиции
| Склад | Производитель | Отгрузка, дней | Наличие, шт. | Цена, руб. | Обновлен | Мин. партия | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2 | GENESIC SEMICONDUCTOR | по запросу | 999999999по запросу | 9999999996673,836 673.83 | Сегодня | 1 | ||
| 2421 | ISC | по запросу | 999999999по запросу | 999999999по запросу | 17.10.2025 | 1 | ||
| 108 | GeneSiC Semiconductor | по запросу | 999999999по запросу | 9999999997932,87 932.80 | 23.10.2025 | 1 |
