Новые семейство мощных 30V MOSFET от Vishay

Новые семейство мощных 30V MOSFET от Vishay

Компания Vishay представила новое семейство n-канальных 30-вольтовых MOSFET транзисторов, обладающие наименьшим в отрасли сопротивлением открытого канала 1.35 мОм при напряжении затвора 4.5 В и невысоким значением заряда Миллера (до 1.8 нКл).

Новинки SiRA00DP, SiRA02DP, SiRA04DP и SiSA04DN изготовлены по запатентованной Vishay технологии TrenchFET Gen IV.

Воплотившие в себе последние достижения Vishay в технологиях конструирования, изготовления и корпусирования, мощные транзисторы открывают широкие возможности для разработчиков современных силовых электронных устройств. Транзисторы SiRA00DPSiRA02DPSiRA04DP и SiSA04DN не только занимают мало места на плате, но и благодаря своим свойствам, помогают достичь наименьшей потери проводимости, уменьшить рассеиваемую мощность и значительно повысить эффективность разрабатываемых устройств. Транзисторы имеют отношение зарядов QGD/QGS – 0.5 и меньше, что уменьшает влияние эффекта Миллера.

Новое семейство транзисторов оптимизировано для его использования в составе DC/DC преобразователей с высокой плотностью мощности, в синхронных выпрямителях, синхронных понижающих преобразователях и схемах резервирования питания. Типичный перечень устройств, в которых найдут применение новые транзисторы, включает в себя импульсные источники питания, VRM (модули регулирования напряжения), системы распределенного питания, блоки телекоммуникационного оборудования.

2012-08-10