Texas Instruments представляет приборы семейства NexFET™ Power Block в корпусах 3х3 мм

Компания Texas Instruments представила новый прибор семейства NexFET – сдвоенный MOSFET-транзистор в миниатюрном (3х3 мм) корпусе SON. Новое изделие CSD86330Q3D позволяет достичь КПД более 90% при токе до 15А, занимая при этом вдвое меньшую площадь по сравнению с альтернативными решениями. Изделие значительно превосходит альтернативные решения по рассеиваемой мощности и выходному току. Оно предназначено для применения в таких областях, как серверы, настольные и мобильные компьютеры, сетевое оборудование, инфраструктура сотовой связи, высококачественная прикладная электроника и индустриальные системы электропитания. Более подробная информация доступна на www.ti.com/powerblock-pr.  Изделие CSD86330Q3D принадлежит к семейству выпускаемых TI приборов «Power Block», уже заслужившему признание. В 2010 г. это семейство получило звание «Продукт года» от журнала Electronic Products. Ежегодно редакция журнала отбирает несколько выдающихся новых изделий из тысяч представленных. Изделие CSD86330Q3D было выбрано за новые идеи в конструкции и значительное улучшение характеристик. Изделие также было включено в список «лучшие сто продуктов 2010 года» журнала EDN Magazine и было отмечено читателями ECN Magazine в 2010г.

Основные свойства и преимущества изделия CSD86330Q3D:

  • Корпус SON размером 3х3 мм. Занимает на плате вдвое меньшую площадь, чем два дискретных транзистора.
  • Улучшенная эффективность: при токе 15А превышение температуры составляет 35°С, что не требует принудительного охлаждения.
  • Высокая плотность мощности, позволяющая сохранить до 10 мм² площади платы.
  • Увеличенная вдвое частота переключения без увеличения потерь мощности, что позволяет уменьшить размер выходного фильтра и его стоимость.
  • Корпус SON с открытой площадкой земли-теплоотвода упрощает разводку платы и улучшает тепловые характеристики.
2011-03-25