Новые 25В и 30В MOSFET в корпусах PQFN от IR

International RectifierКомпания International Rectifier представила новое семейство HEXFET MOSFET в новом PQFN корпусе 3×3 мм и 5×6 мм, рассчитанных на напряжения 25В и 30В. Новые транзисторы особенно эффективны для мощных низковольтных DC-DC преобразователей.

В результате того, что данные транзисторы выполнены по улучшенной технологии производства, общее сопротивление корпуса было значительно уменьшено, а также получено ультранизкое сопротивление открытого канала Rds(on). Дополнительно к низкому Rds(on), новые MOSFET демонстрируют улучшенные тепловые характеристики и надежность.

Данное семейство включает транзисторы, оптимизированные для применения в качестве “управляющих” MOSFET для DC/DC конвертеров (имеющие малое сопротивление затвора Rg для уменьшения потерь при переключении), а также “синхронные” FETKY MOSFET с малыми потерями на проводимость.

Наименование Корпус Vds Vgs макс. Rds(on) тип.@10В (мОм) Qg тип.@4.5В (нКл) Особенности
IRFHM831TR2PBF PQFN 3×3 30V ±20V 6.6 7.3 Низкое Rg
IRFHM830DTR2PBF PQFN 3×3 30V ±20V 3.4 13 FETky
IRFHM830TR2PBF PQFN 3×3 30V ±20V 3 15  
IRFH5303TR2PBF PQFN 5×6 30V ±20V 3.6 15 Низкое Rg
IRFH5304TR2PBF PQFN 5×6 30V ±20V 3.8 16  
IRFH5306TR2PBF PQFN 5×6 30V ±20V 6.9 7.8  
IRFH5255TR2PBF PQFN 5×6 25V ±20V 5 7 Низкое Rg
IRFH5250DTR2PBF PQFN 5×6 25V ±20V 1 39 FETky
2011-01-24