QFN3333 - силовая коммутация от NXP

Компания NXP представляет линейку высокопроизводительных MOSFET-транзисторов в диапазоне стоковых напряжений от 30 до 100 В и выполненных в корпусе QFN3333. Имея габаритные размеры всего 3.3 мм х 3.3 мм х 1.0 мм, транзисторы обеспечивают эффективность переключения, соизмеримую с транзисторами типа Trench 6 LFPAK, но в габаритах на 60% меньше. Данные компоненты идеально подходят для применений с жесткими требованиями к занимаемой площади печатной платы, а также для приложений, где требуется силовая коммутация с высоким КПД.

Отличительные особенности:

  • Высокая эффективность в силовых импульсных приложениях благодаря оптимизированным характеристикам сопротивления открытого канала RDS(ON) и заряда затвора QG по сравнению с технологией Trehch 6
  • Высокая скорость переключения – оптимально для высокочастотных приложений до 500 кГц
  • Высота корпуса 1.00 мм для низкопрофильных приложений
  • Технология разварки кристалла обеспечивает превосходные температурные характеристики – Rth(j-mb)
  • Значительно снижены частотные выбросы
  • Устойчивы к лавинному пробою и 100%-тестированы ы фабричных условиях для гарантии высокой надежности
  • 30-вольтовые транзисторы с типовым значением RDS(ON) от 2.9 мОм (PSMN3R5-30LL) до 15 мОм (PSMN017-30LL)
  • Рабочий ток ID до 40 А
  • Логический уровень порогового напряжения затвора
  • Допустимое напряжение затвора ±20 В
  • Максимальная температура перехода 150°C
  • Не содержат галогенов, отвечают требованиям RoHS

Область применения:

  • DC/DC конвертеры – Point-Of-Load модули
  • Схемы защиты батарей – ионно-литиевые аккумуляторы
  • Схемы коммутации нагрузки
  • Силовые ORing-схемы
  • Модули стабилизаторов напряжения (VRM)
2010-12-09