ST Microelectronics представляет силовые MOSFET транзисторы с низким Rdson

ST Microelectronics представляет силовые MOSFET транзисторы семейства MDMESH V. Основное отличие данных транзисторов - рекордно низкое значение сопротивление открытого канала (Rdson до 22 МОм), расширеное окно рабочего напряжения сток-исток (Vds=650В вместо 600В) и улучшенными характеристиками переключения.

 

Технология MDMESH V -  это самая последняя реализация собственной Multi Drain Mesh-технологии ST категории Super-Junction, впревые  представленной в 2001 году. Четыре года позднее на рынке появились и стали популярны MOSFET-транзисторы MDmesh II серии NM..Nс напряжением пробоя от 300 до 650В. Не пошли в серийное производство следующие поколения приборов (3 и 4) и так и остались в виде лабораторных образцов. Пятое поколение транзисторов превосходят второе поколение MDMESH MOSFETs на 40% по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла, обеспечивая тем самым высокий КПД и плотность мощности частотных преобразователей.

 

Данное поколение представлено транзисторами STF42N65M5, STP42N65M5, STP12N65M5, STP32N65M5, STB32N65M5, STW30N65M5, STW35N65M5, STP30N65M5, STW32N65M5, STP16N65M5.

Вы можете заказать транзисторы в Компании "База Электроники", воспользовавшись интернет-магазином или отправить заявку на e-mail или по факсу, которые указаны в разделе "Контакты".

2010-12-06