Популярные HEXFET транзисторы International Rectifier в корпусах TO-220AB

Часто при выборе транзистора предпочтение отдается компонентам в корпусах ТО-220. Они получили широкое применение в промышленных и индустриальных разработках благодаря отличным термическим характеристикам (мощность рассеивания корпусов составляет 50 Вт). Другим секретом популярности этих корпусов стало низкое термосопротивление и малая стоимость изготовления корпуса. 5-ое поколение HEXFET транзисторов International Rectifier отличается сверхнизким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)) по сравнению с аналогичными приборами с тем же размером кристалла. Уменьшение сопротивления канала составило более 65% для N- и P-канальных MOSFET транзисторов. Лучшие характеристики канала были достигнуты для P-канальных приборов, сопротивление канала которых в 2 раза ниже N-канальных транзисторов с тем же размером кристалла. Например, RDS(on) популярного P-канального транзистора 55В IRF4905 составляет 20 мОм, это на 85% ниже его предыдущего аналога IRF9234 (140 мОм). А в сочетании с высокой скоростью переключения и повышенной износостойкостью корпусов HEXFET транзисторы IR получили заслуженную высокую оценку инженеров-разработчиков как высоко эффективные и надежные компоненты для самого широкого круга применений.
2009-11-24